NTF6P02T3G-VB MOSFET Canal P Transistor 35v 6,2A 4,2W SOT-223
Transistor MOSFET NTF6P02T3G-VB de canal P capaz de manejar intensidades de 6,2A y voltajes de 35V.
Transistor MOSFET NTF6P02T3G-VB de canal P capaz de manejar intensidades de 6,2A y voltajes de 35V. Es un MOSFET de potencia que nos permitirá manejar cargas elevadas al mismo tiempo que nos permite una conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.
Categoría del producto: MOSFET.
Polaridad del transistor: P-Channel.
Voltaje Drenaje-Fuente (Vds): 35v.
Voltaje Puerta-Fuente (Vgs): ±20v.
Corriente contínua de drenaje (a 25ºC): 6,2A.
Potencia disipada (Ptot): 4,2W.
Temperatura operativa: -55ºC a +150ºC.
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En stock83 Artículos
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MontajeSuperficial (SMD)
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TipoMOSFET P-CANAL
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EncapsuladoSOT-223
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